KHW-08DB-C

克特霍尔传感器，也称为霍尔效应传感器。霍尔效应传感器是一种磁传感器，可以用于检测永久磁铁或电磁铁产生的磁场的强度和方向，其输出与所检测到的磁场强度成比例变化。

克特 霍尔传感器基于霍尔效应，该效应是指当电流通过存在磁场的导体时，会在导体两侧产生电压差。

克特霍尔传感器通常由霍尔元件和信号处理电路组成。霍尔元件是一种半导体器件，通常为平面片状或芯片状，具有不同类型的霍尔效应结构。当磁场作用于霍尔元件时，会在器件的侧边产生一个电势差，该电势差与磁场的强度成正比。

通过信号处理电路，可以将霍尔传感器输出的电压差转换为可用的电信号，例如电流或数字信号。这使得霍尔传感器在许多应用中都具有广泛的用途，如位置检测、接近开关、电流传感、转速测量等。

与其他传感器相比，霍尔传感器具有一些优点，例如快速响应速度、高精度、可靠性高、非接触耐磨损等。另外，霍尔传感器不受温度影响，因此在高温或低温环境下也能正常工作。密封的霍尔传感器对振动、尘埃和水都具有抗干扰能力。

克特霍尔效应传感器基本上由一片薄的矩形 p 型半导体材料组成，例如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs），通过自身通入连续电流。

      将霍尔传感器放置在磁场中时，磁通线对半导体材料施加力，使电子和空穴（电荷载体）偏离半导体薄片的两侧。这种电荷载体的运动是由于它们通过半导体材料时所经历的磁力。。

      当电子和空穴向侧面移动时，由于电荷载体的积累，在半导体材料的两侧产生了电位差。然后，电子在通过半导体材料时会受到垂直于其的外部磁场的影响，这种效应在平面矩形材料中更为明显。

      利用磁场产生可测量电压的效应被称为霍尔效应，该效应由于爱德温·霍尔在19世纪70年代发现，其基本物理原理是洛伦兹力。要在器件上产生电位差，磁通线必须与电流流动垂直（90度），并且具有正确的极性，通常是南极。

      霍尔效应可以提供有关磁极类型和磁场强度的信息。例如，南极会导致器件产生电压输出，而北极则不会产生影响。通常，霍尔效应传感器和开关设计成在没有磁场存在时处于“关断”（断路条件）。只有当受到足够强度和极性的磁场时，它们才会变为“导通”（闭路条件）。

KTGEE Hall sensor, also known as Hall effect sensor. Hall effect sensor is a magnetic sensor that can be used to detect the strength and direction of the magnetic field generated by permanent magnets or electromagnets, and its output changes proportionally to the detected magnetic field strength.

The KTGEE Hall sensor is based on the Hall effect, which refers to the voltage difference generated on both sides of a conductor when current passes through it in the presence of a magnetic field.